Соклоф С. Аналоговые интегральные схемы: Пер. о англ. — М. Мир, 1988.— 583 с., ил.

Соклоф С. Аналоговые интегральные схемы: Пер. о англ. — М. Мир, 1988.— 583 с., ил.

Turbobit.net:Скачать
DepositFiles:Скачать
HitFile:Скачать

В книге профессора Калифорнийского университета (США) рассмотрены физические, технологически! и схемотехнические принципы проектирования и производства аналоговых ИС. Уровень изложения материала соответствует современным достижениям микроэлектроники. Последовательно описаны методы изготовления и структура ИС, интегральные схемы источников тока, дифференциальных и операционных усилителей, компараторов, микросхемы специального назначения.
Для студентов, аспирантов и преподавателей вузов по специальностям электроника, радиотехника и связь, а также специалистов соответствующих отраслей.

От редактора перевода.................................................. 5
Предисловие............................................................ 8

Глава 1. Технология изготовления интегральных схем.................... 11
1.1. Основные операции в технологии изготовления кремниевых приборов ....................................................... 11
1.2. Подготовка кремниевых пластин .................................. И
1.3. Диффузия....................................................... 18
1.4. Окисление...................................................... 39
1.5. Фотолитография................................................. 46
1 6. Химическое осаждение из газовой фазы ............. 52
1.7. Нанесение металлизации......................................... 59
Задачи............................................................ 63
Литература ......................................................... 68

Глава 2. Интегральные схемы........................................... 69
2.1. Характеристики /м-перехола ................................... 69
2.2. Эпитаксиальная структура...................................... 73
2.3. Технологический цикл изготовления планарного эпитаксиального диода......................................................... 77
2.4. Планарный эпитаксиальный транзистор .......................... 78
2.5. Разделение пластин на кристаллы и присоединение кристалла
к основанию................................................... 80
2.6. Технологический цикл изготовления полевого транзистора
с /т-переходом................................................ 81
2.7. Технологический цикл изготовления МОП-транзистора............. 83
2.8. Изоляция элементов ИС......................................... 91
2.9. Топология транзистора и его площадь........................... 96
2 10. рлр-транзнсторы.............................................. 98
2.11. Полевые транзисторы с /?л-переходом в интегральных схемах Ю1
2.12. МОП-транзисторы для ИС....................................... 104
2.13. Комплементарные МОП-транзисторы.............................. 109
2.14. Диоды в интегральных схемах.................................. 113
2.15. Резисторы в интегральных схемах.............................. 121
2.16. Конденсаторы в интегральных схемах........................... 131
2.17. Индуктивности в ИС........................................... 134
2.18. Перемычки в ИС............................................... 135
2.19. Методы создания диэлектрической изоляции.................. 136
2.20. Изопланарная технология и другие технологические варианты 141
2 21. Контактные площадки и поле кристалла......................... 143
2.22. Размер кристалла и уровень сложности ИС ..................... 145
2.23 Проблема отвода тепла......................................... 149
Задачи ............................................................ 155
Литература ........................................................ 150

Глава 3. Источники постоянного тока, напряжения и опорного напряжения ..................................................... 161
3.1. Источники постоянного тока............................... 161
3.2. Источники напряжения........................................ 193
3.3. Источники опорного напряжения, не зависящие от изменения
температуры.................................................. 201
Задачи............................................................ 224
Литература ....................................................... 240

Глава 4. Дифференциальные усилители............................. 241
4.1. Дифференциальный усилитель на биполярных транзисторах. . . 241
4.2. Дифференциальные усилители на полевых транзисторах .... 258
4.3. Активная нагрузка......................................... 264
4.4. Дифференциальный усилитель на составных транзисторах. . . 272
4.5. Дифференциальный усилитель с диапазоном входного напряжения, содержащим нулевой потенциал............................. 274
4.6. Ось симметрии..........................................' 275
Задачи......................................................... 278
Литература .................................................... 281

Глава 5. Характеристики н применение ОУ .................... 282
5.1. Интегральные схемы .......................................... 282
5.2. Введение в теорию операционных усилителей.................... 283
6.3. Анализ схем на основе ОУ с обратной связью с помощью уравнений узловых потенциалов........................................ 288
5.4. Погрешность и стабильность коэффициента усиления............. 294
5.5. Частотная характеристика..................................... 297
6.6. Переходная характеристика.................................... 301
5.7. Напряжение смещения ......................................... 303
5.8. Входной ток смещения ........................................ 307
6.9. Коэффициент усилении синфазного сигнала...................... 309
5.10. Входное сопротивление....................................... 312
5.11. Выходное сопротивление...................................... 314
5.12. Рассеиваемая мощность и ограничение по току................. 316
5.13. Влияние обратной связи на искажения ..................... 318
5.14. Коэффициент ослабления нестабильности источника питания . . 320
5.15. Шумы............................ ........................ 321
6.16. Термины и определения ... 326
5.17. Сравнительный анализ характеристик реального и идеального
операционного усилителя...................................... 331
5.18. Устойчивость ОУ............................................. 333
5.19. Применение ОУ............................................... 330
5.20. Активные фильтры............................................ 360
5.21. Фильтры с переключаемыми конденсаторами..................... 375
Задачи............................................................ 379
Литература ....................................................... 412

Глава 6. Проектирование схем ОУ..........414
6.1. Анализ схем ОУ............................414
6.2. Примеры расчета схем ОУ..................422.
6.3. ОУ на полевых транзисторах................443
6.4. ОУ Нортона................................462
6.5. Одиночные, сдвоенные и счетверенные ОУ . . .466
6.6. ОУ с улучшенными рабочими характеристиками...........468
6.7. Буферы с единичным усилением .............470
Задачи............................................................ 471
Литература ....................................................... 478

Глава 7. Компараторы напряжения..................................... 479
7.1. Характеристики компаратора................................... 481
7.2. Компараторы с положительной обратной связью.................. 482
7.3. Схемотехника компаратора..................................... 484
7.4. Время рассасывания объемного заряда транзистора ............. 490
7.5. Методы повышения быстродействия.............................. 495
7.6. Коэффициент усиления КМОП-ннвертора........................ 611
7.7. КМОП — компаратор напряжения................................. 512
Задачи............................................................ 515
Литература ................................................ 520

Глава 8. Интегральные схемы специального назначения................. 521
8.1. Стабилизаторы напряжения..................................... 521
8.2. Интегральные усилители мощности............................. 524
8.3. Видеоусилители.............................................. 526
8.4. Цифро-аналоговые преобразователи............................ 529
8.5. Аналого-цифровые преобразователи............................ 531
8.6. Балансный модулятор/демодулятор............................ 540
8.7. Генератор, управляемый напряжением.......................... 541
8.8. Фазовая автсиодстройка частоты.............................. 541
8.9. Умножители, делители и функциональные генераторы............ 547
8.10. Температурные датчики на основе ИС.......................... 550
8.11. Интегральные датчики магнитного поля........................ 550
8.12. ИС-датчики давления......................................... 550
8.13. Аналоговые ключи ......................................... 551
8.14. Схема выборхн и хранения................................... 552
8.15. Приборы с переносом заряда ................................ 552
8.16. Олтоэлектронные ИС......................................... 555
8.17. Другие типы ИС специального назначения..................... 557
Литература ....................................................... 558
Приложения
A. Физические постоянные, коэффициенты преобразования, параметры 562
Б. Проводимости транзистора....................................... 562
B. Малосигнальные эквивалентные схемы транзистора............... 575
Предлметный указатель............................................... 679

Похожие книги: